光子学技术创新助力社会可持续发展
图2 纳米压印二氧化钛光子晶体示例 [1] Huiru Ren, et al, TiO2 nanoimprint for photonic sensor application (2023)
现有照明技术中,基于环保材料InGaN制备的蓝色LED已经得到普遍应用,但是相应地对于依赖更高铟浓度的红色LED,由于InN和GaN之间的晶格失配,高浓度铟的存在会导致应力缺陷,进而严重降低器件的量子效率。目前红色LED普遍采用的是含有剧毒磷的AlInGaP,同时当其尺寸降低至20 μm以下时,其效率也会急剧下降。2024年1月30日,威斯康星大学麦迪逊分校的Shubhra
Pasayat发表了题为《利用多孔III族氮化物的长波长发射器》的报告,提出了一种基于多孔氮化镓的InGaN红色发射器。由于多孔氮化镓不会产生应力缺陷,因而可以成功实现基于环保材料InGaN制备的红色LED,同时也解决了20 μm以下AlInGaP红色LED效率不足的问题。
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